slider0

Полезные статьи

Читать все статьи

HXY80N06D

25
+
Артикул:
Z_000123207
В Москве:
1875
В Иркутске:
0

Характеристики товара

Стенд:
Заказ
Тип:
MOSFET
Вес брутто:
0.55
Диапазон рабочих температур:
-55…+150 °С
Упаковка:
REEL, 2500 шт.
Способ монтажа:
поверхностный (SMT)
Корпус:
TO-252 (DPAK)
Емкость, пФ:
2680
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм:
8
Тип проводимости:
N
Заряд затвора, нКл:
33
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А:
80
Максимальное напряжение сток-исток, В:
60
Единица измерения:
шт
HXY80N06D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 33 нКл
Цена на товар указана за 1 шт.
Минимальный отпуск: 1 шт. ( далее кратно 1 шт. )

Похожие товары

Транзистор IRFR024 Транзистор IRFR024
Артикул:
Z_000121992
В Москве:
3500
В Иркутске:
0
16
+
Транзистор ESNQ06R10 Транзистор ESNQ06R10
Артикул:
Z_000121912
В Москве:
2400
В Иркутске:
0
15
+
Транзистор 20N06 Транзистор 20N06
Артикул:
Z_000121054
В Москве:
9100
В Иркутске:
0
12
+
IRFR3709Z IRFR3709Z
Артикул:
Z_000123843
В Москве:
2225
В Иркутске:
0
38
+
0.5 с