slider0

Полезные статьи

Читать все статьи

Транзистор IPB107N20N3GATMA1

422
+
Артикул:
Z_000113112
В Москве:
610
В Иркутске:
0

Характеристики товара

Стенд:
Заказ
Мощность:
рассеиваемая (Pd) - 300 Вт
Тип:
MOSFET
Напряжение:
пороговое затвора (Vgs th) - 3В
Вес брутто:
2.08
Диапазон рабочих температур:
-55…+175 °С
Упаковка:
REEL, 1000 шт.
Фирма изготовитель:
IP
Способ монтажа:
поверхностный (SMT)
Корпус:
TO-263 (D2PAK)
Максимальный ток:
коллектора (Iк max) - 88 А
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм:
9,6
Описание:
200V, 88A N-Channel MOSFET
Тип проводимости:
N
Заряд затвора, нКл:
65
Максимально допустимое напряжение:
затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В:
200
Единица измерения:
шт
Цена на товар указана за 1 шт.
Минимальный отпуск: 1 шт. ( далее кратно 1 шт. )

Похожие товары

Транзистор IRFP260NPBF Транзистор IRFP260NPBF
Артикул:
Z_000113111
В Москве:
1152
В Иркутске:
0
139
+
Транзистор IRF640NPBF Транзистор IRF640NPBF
Артикул:
Z_000113146
В Москве:
850
В Иркутске:
0
29
+
Транзистор IRFR120NTRPBF Транзистор IRFR120NTRPBF
Артикул:
Z_000113143
В Москве:
3900
В Иркутске:
0
27
+
Транзистор IRFB4332PBF Транзистор IRFB4332PBF
Артикул:
Z_000113110
В Москве:
730
В Иркутске:
0
159
+
0.15 с