slider0

Полезные статьи

Читать все статьи

Транзистор IPD122N10N3GATMA1

116
+
Артикул:
Z_000121612
В Москве:
2280
В Иркутске:
0

Характеристики товара

Стенд:
Заказ
Мощность:
рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
Тип:
MOSFET
Напряжение:
пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
Вес брутто:
0.55
Диапазон рабочих температур:
-55…+175 °С
Упаковка:
REEL, 2500 шт.
Время:
задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
Фирма изготовитель:
IP
Способ монтажа:
поверхностный (SMT)
Корпус:
TO-252 (DPAK)
Емкость, пФ:
2500
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм:
12,2
Описание:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Тип проводимости:
N
Заряд затвора, нКл:
26
Максимально допустимое напряжение:
затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В:
100
Единица измерения:
шт
Цена на товар указана за 1 шт.
Минимальный отпуск: 1 шт. ( далее кратно 1 шт. )

Похожие товары

Транзистор IPD70R900P7SAUMA1 Транзистор IPD70R900P7SAUMA1
Артикул:
Z_000121613
В Москве:
2225
В Иркутске:
0
47
+
STD20NF20 STD20NF20
Артикул:
Z_000123885
В Москве:
342
В Иркутске:
0
171
+
Транзистор IRF540NSTRLPBF Транзистор IRF540NSTRLPBF
Артикул:
Z_000121622
В Москве:
1025
В Иркутске:
0
47
+
IRFR3410 IRFR3410
Артикул:
Z_000123846
В Москве:
2290
В Иркутске:
0
46
+
0.18 с