Полезные статьи
Читать все статьиТранзистор IRFR5410TRPBF
38
₽
Артикул:
Z_000121673
В Москве:
1100
В Иркутске:
0
Характеристики товара
Стенд:
Заказ
Мощность:
рассеиваемая (Pd) - 66 Вт
Тип:
MOSFET
Напряжение:
пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Вес брутто:
0.64
Диапазон рабочих температур:
-55…+150 °С
Упаковка:
REEL, 2000 шт.
Фирма изготовитель:
IR
Способ монтажа:
поверхностный (SMT)
Корпус:
TO-252 (DPAK)
Транспортная упаковка: размер/кол-во:
59*46*46/2000
Емкость, пФ:
760
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм:
205
Описание:
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
Тип проводимости:
P
Заряд затвора, нКл:
58
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А:
-13
Максимально допустимое напряжение:
затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В:
-100
Единица измерения:
шт
Цена на товар указана за 1 шт.
Минимальный отпуск: 1 шт. ( далее кратно 1 шт. )
Минимальный отпуск: 1 шт. ( далее кратно 1 шт. )